国立大学法人信州大学
革新的なスピンテクスチャ制御装置とメモリ装置

国立大学法人信州大学
革新的なスピンテクスチャ制御装置とメモリ装置
本特許は、スピンテクスチャ制御装置とその制御方法、およびスピンテクスチャの状態に対応したデータを記憶するメモリ装置に関する新技術です。磁性体部が磁性体部と一緒に構成され、その幅が10nm以上20nm以下であることが特徴です。この技術により、電力消費を大幅に削減しながら、デバイスの安定した長時間動作を可能にします。さらに、スピンテクスチャの状態に対応したデータを記憶するメモリ装置を提供することで、高密度メモリデバイスとしての利用が期待されます。
つまりは、電力消費を削減し、長時間の安定した動作を可能にするスピンテクスチャ制御装置とメモリ装置の特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業情報通信業半導体製造業
- 電力消費を削減したデバイスの開発
- 高密度メモリデバイスの開発
- 電子機器の性能向上
本特許の技術を活用することにより、電力消費を大幅に削減しながら、長時間安定して動作するデバイスを開発することが可能です。これにより、エネルギー効率の改善と、デバイスの寿命の延長を実現できます。
本特許の技術を利用して、スピンテクスチャの状態に対応したデータを記憶する高密度メモリデバイスを開発することができます。これにより、大容量のデータを小さなデバイスに格納することが可能となり、新たな市場を開拓することができます。
本特許の技術を電子機器に適用することで、デバイスの性能を向上させることが可能です。特に、電力消費を抑えつつ、高速かつ大容量のデータ処理が可能となり、ユーザーの利便性を向上させます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2019-143322 |
発明の名称 | スピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、およびメモリ装置 |
出願人/権利者 | 国立大学法人信州大学 |
公開番号 | 特開2020-077841 |
登録番号 | 特許第0007318916号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です