国立大学法人静岡大学
暗電流の発生を抑制した革新的な固体撮像装置

国立大学法人静岡大学
暗電流の発生を抑制した革新的な固体撮像装置
本特許は、リセットゲート電極にオフ電圧を印加した状態で、ゲート絶縁膜とリセット素子界面層の界面電位が0Vとなるように設定されています。これにより、ゲート絶縁膜の直下に中性領域を残す不純物密度にリセット素子界面層が設定され、リセットトランジスタにおける暗電流の発生を抑制します。さらに、基体領域には高不純物密度で第1導電型の半導体領域が設定され、この領域は素子分離領域の一部を構成します。これにより、素子分離領域における暗電流の発生も抑制します。また、各画素には基体領域に埋め込まれた、基体領域よりも高不純物密度で第1導電型のコンタクト領域と、そのコンタクト領域に接続された接地電位の表面配線が設けられています。
つまりは、高性能な画像撮影と優れた電荷制御を実現する固体撮像装置
AIによる特許活用案
おすすめ業界 カメラ製造業セキュリティ業界メディカルイメージング
- 高性能カメラの開発
- セキュリティカメラの改善
- メディカルイメージングの革新
本特許を活用して、暗電流の発生を抑制した高性能なカメラを開発することが可能です。これにより、低照度環境でもクリアな画像が撮影でき、ユーザーにとって価値ある製品となります。
本特許を利用して、暗電流を抑制し、より鮮明な画像を提供できるセキュリティカメラを設計・製造することができます。これにより、暗闇でもはっきりとした映像を得ることができ、セキュリティ業界における監視の質を向上させることができます。
本特許を活用することで、医療分野における画像診断の精度を向上させることが可能です。暗電流の発生を抑制することにより、より鮮明な画像を得ることができ、より正確な診断に貢献します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2018-213011 |
発明の名称 | 固体撮像装置 |
出願人/権利者 | 国立大学法人静岡大学 |
公開番号 | 特開2020-080377 |
登録番号 | 特許第0007340218号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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