国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能パワーデバイス向け、最先端の半導体基板製造技術
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能パワーデバイス向け、最先端の半導体基板製造技術
本特許は、広いバンドギャップと高いキャリア移動度を持つ半導体基板の製造方法に関して詳述しています。特に酸化ガリウム半導体層の形成工程と窒化ガリウム結晶の除去工程を有する半導体基板の製造方法を提供しています。基板の形成には、電子ビーム蒸着、MBE、CVD、HVPE、ALD、スパッタリングといった多様な方法が用いられ、窒化ガリウム結晶の除去工程は、ドライエッチング、機械研磨、化学機械研磨などのステップが含まれます。また、基板の少なくとも一部が導電性または絶縁性を有すること、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物など、種々の材料が選択可能であることも特徴的です。
つまりは、広いバンドギャップと高いキャリア移動度を持つ半導体基板の製造技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子機器製造自動車製造
- 高性能パワーデバイスの製造
- 高効率エネルギーデバイスの開発
- 導電性や絶縁性の可変性を活用した新規デバイスの開発
本特許の製造方法を用いて作成された半導体基板は、広いバンドギャップと高いキャリア移動度を持つため、ハイブリッド車や電気自動車などの高性能パワーデバイスの製造に活用できます。
酸化ガリウムを用いた半導体基板は、その特性上、高効率のエネルギー変換やエネルギー保存装置の開発に役立つ可能性があります。これにより、より持続可能なエネルギーインフラの構築に貢献できます。
基板の一部が導電性や絶縁性を持つことが可能であるため、これを活用して新規の電子デバイスや機能的な材料の開発を行うことができます。これにより、電子機器の性能向上や新規機能の開発に寄与する可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-243227 |
| 発明の名称 | 半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2020-105038 |
| 登録番号 | 特許第0007191322号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です