国立大学法人信州大学
省エネで高速な磁気メモリー素子！
国立大学法人信州大学
省エネで高速な磁気メモリー素子！
本発明は、磁壁または磁気スキルミオンの状態に関する磁気メモリ素子で、磁性細線、磁性細線に接し磁性細線の延在する方向に沿って離間して設けられた第1電極および第2電極、磁性細線と第3電極との間に設けられ磁性細線に接しかつ第3電極に接する絶縁層と、磁性細線に近接して配置された少なくとも1つの磁界センサを備えています。これにより、従来の電流駆動方式の問題であった大きな電流が必要で消費電力が大きいという問題を解消し、省エネで高速な磁気メモリ素子を実現します。また、磁壁だけでなく、電子スピンが渦中心に並んだナノスケールの磁気構造体である磁気スキルミオンを発生でき、これを電界により駆動制御できることも見出しています。
つまりは、電流駆動の問題を解消し、省エネで高速な磁気メモリ素子を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業コンピュータ製造業データセンター
- データセンターの省エネ化
- 高速なデータ処理
- 耐久性の向上
省エネ化が求められるデータセンターでの利用が想定されます。大きな電流が必要なかったり、消費電力が大きいという問題を解消した本発明の磁気メモリ素子を利用することで、エネルギーの効率的な使用が可能となります。
コンピュータやスマートフォンなどの高速なデータ処理が求められる場面での利用が想定されます。本発明の磁気メモリ素子は高速性を持つため、データの読み書き速度を向上させることができます。
長時間の動作が可能であるため、耐久性が求められる電子機器の部品としての利用が想定されます。本発明の磁気メモリ素子を利用することで、機器の寿命を延ばすことができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-010092 |
| 発明の名称 | 磁気メモリ素子 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人信州大学 |
| 公開番号 | 特開2020-120001 |
| 登録番号 | 特許第0007300666号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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