水酸化テトラメチルアンモニウムとアルコール類を含む表面処理溶液を使用し、III族半導体基板を高精度に平坦化。効率的な撹拌と接触処理により、表面の平滑性を飛躍的に向上させ、次世代の半導体デバイス製造に貢献します。

本発明は、III族半導体基板の表面を平坦化するための表面処理方法、およびそれを実現するための表面処理装置と表面処理溶液に関するものです。半導体基板の平坦化は、デバイス性能を向上させるために非常に重要です。本特許は、効率的かつ高精度な平坦化技術を提供します。

主な構成要素と機能

1. 保持容器（11）：
   • 表面処理溶液を保持する容器。
2. 表面処理溶液（12）：
   • 水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、アルコール類、および添加剤を含む溶液。
3. 接触処理器（14）：
   • 半導体基板を保持し、表面処理溶液と接触させる装置。
4. 回転子（15）：
   • 表面処理溶液を撹拌する装置。

動作原理

この表面処理装置は、保持容器内の表面処理溶液を回転子により撹拌しながら、半導体基板を接触処理器で保持し、溶液と接触させることで、基板の表面を平坦化します。溶液には、水酸化テトラメチルアンモニウムとアルコール類が含まれており、これにより表面の不均一性を効果的に除去します。

利点

• 高精度な平坦化：特殊な表面処理溶液を使用することで、半導体基板の表面を高精度に平坦化。
• 効率的な処理：回転子による撹拌と接触処理器による処理により、短時間で効率的に処理を行います。
• デバイス性能の向上：平滑性の高い基板を提供することで、半導体デバイスの性能を向上させます。