国立大学法人山口大学
革新的な半導体基板の製造方法
国立大学法人山口大学
革新的な半導体基板の製造方法
本特許は、高効率の発光デバイスやパワーデバイスの製造に適した高品質なGaN基板の製造方法に関するものです。具体的には、下地基板上に複数のGaNの三角ファセット構造を形成し、相互に隣接する三角ファセット構造間の凹部を埋め込むように第1厚膜成長層を形成します。その上に、各三角ファセット構造の上に逆三角形の第2厚膜成長層を形成し、相互に隣接する第2厚膜成長層を合体させて第1厚膜成長層を埋設します。この製造方法は、転位密度の低い高品質なGaN基板を得ることが可能であり、光や電力の効率を大幅に改善することが期待されます。
つまりは、高品質なGaN基板製造のためのユニークな製造プロセス
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業光学機器製造業
- 高効率な発光デバイスの製造
- 高性能なパワーデバイスの開発
- 半導体製造技術の向上
本特許の製造方法を用いて作られた高品質なGaN基板は、LEDやレーザダイオードなどの高効率な発光デバイスの製造に利用することができます。
本特許の製造方法を用いて作られたGaN基板を用いることで、高性能なパワーデバイス、例えば電力変換装置や高周波アンプなどの開発が可能となります。
本特許の製造方法は、転位密度の低い半導体基板の製造技術を向上させ、半導体デバイスの性能を大幅に向上させる可能性があります。これは、半導体製造業界全般にとって大きな意義を持つ技術革新と言えるでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-029358 |
| 発明の名称 | 半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | 特開2020-132482 |
| 登録番号 | 特許第0007284983号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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