国立研究開発法人物質・材料研究機構
効率的なパワーデバイスと制御用電子装置の未来

国立研究開発法人物質・材料研究機構
効率的なパワーデバイスと制御用電子装置の未来
本特許は、半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置に関するもので、特に低消費電力化および高スイッチング特性を有する装置の開発に焦点を当てています。これらの装置は産業用途だけでなく、民生用途にも広く使用されるため、その性能向上は社会全体の利益につながります。特に、ダイヤモンド半導体はその優れた物理的特性を活かし、大電力動作、高速・高周波動作において期待されています。また、金属元素、TiまたはCoからなるゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する半導体装置についても言及しています。
つまりは、半導体装置を利用した高性能なパワーデバイスおよび制御用電子装置の開発
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業通信機器製造業自動車産業
- 高性能パワーデバイスの開発
- 低消費電力化された制御用電子装置の製造
- 次世代の電子機器の開発
本特許の技術を活用して、高性能なパワーデバイスを開発することが可能です。特に、ダイヤモンド半導体の高いキャリア移動度を利用することで、大電力動作や高速・高周波動作が可能なデバイスを作成することができます。
本特許の半導体装置を活用することで、低消費電力化された制御用電子装置を製造することが可能です。これにより、省エネルギーを実現しながらも高性能な動作を維持することができます。
本特許の半導体装置を利用することで、高性能かつ効率的な次世代の電子機器を開発することが可能です。これにより、消費者のニーズに対応した新しい電子機器の提供が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2019-057963 |
発明の名称 | 半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置 |
出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 | 特開2020-161587 |
登録番号 | 特許第0007195539号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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