国立大学法人山口大学
高出力レーザ開発の新たな道 - 高歩留まりA1N分極反転構造の製造方法
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高出力レーザ開発の新たな道 - 高歩留まりA1N分極反転構造の製造方法
従来のFFA法ではA1Nの全面を接合させることが困難で、歩留まりが低かった。本発明の方法は、厚さ方向に分極した第1 A1N層の表面をA1源ガスのトリメチルアルミニウムまたはトリエチルアルミニウム及びN源ガスのNH3ガスが流通する雰囲気に晒し、A1原子の供給モル数に対するNH3によるN原子の供給モル数の比（VIII比）を1以上20以下とすることで、前記第1 A1N層上にA1Nを結晶成長させ、第1 A1N層とは分極が反転した第2 A1N層を形成する。この方法により、第1及び第2 A1N層間の全面が一様に接合された構造となり、高い歩留まりを得ることが可能となる。
つまりは、本特許は、A1Nの全面を接合させるのが困難だった問題を解決し、高い歩留まりを得られるA1N分極反転構造の製造方法を提供する。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業レーザ技術科学研究開発
- 高出力レーザの開発
- 非線形光学材料の製造
- 光学系デバイスの製造
高出力レーザの開発には本発明の高歩留まりA1N分極反転構造の製造方法を活用することで、より効率的かつコスト効果的なレーザ開発が可能となる。
非線形光学材料として用いられるA1Nの製造に本発明を適用することで、高品質で一様なA1N結晶を高い歩留まりで製造することが可能となる。
本発明のA1N分極反転構造の製造方法を活用することで、一様な品質のA1Nを用いた光学系デバイスの製造が可能となり、デバイスの性能向上とコストダウンが期待できる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-101995 |
| 発明の名称 | ＡｌＮ分極反転構造の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | 特開2020-197562 |
| 登録番号 | 特許第0007228240号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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