国立大学法人山口大学
高品質な半導体基板の製造を実現する革新的な技術
国立大学法人山口大学
高品質な半導体基板の製造を実現する革新的な技術
本特許は、化学気相成長法により半導体基板を製造する際に、反りの発生を抑制する手法を提供します。具体的には、高い結晶成長温度でIII族窒化物半導体を結晶成長させて中間半導体層を形成し、その上にさらに高い結晶成長温度でGaNを結晶成長させてメイン半導体層を形成します。中間半導体層はInGaNとGaNの交互の積層構造を有する半導体超格子を含み、その積層数は5以上10以下です。この技術により、半導体基板の製造における反りの発生を抑制し、品質の高い半導体基板を低コストで製造することが可能となります。
つまりは、化学気相成長法を利用した高品質なIII族窒化物半導体基板の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業計測機器製造業
- 高品質な半導体製品の製造
- 次世代の電子デバイスの開発
- 半導体製造プロセスの最適化
この特許の技術を活用することで、高品質な半導体製品の製造が可能となります。製造コストを抑えつつ、製品の品質を向上させることができます。
高品質な半導体基板を利用することで、より高性能な電子デバイスの開発が可能となります。特に、高効率の発光デバイスやパワーデバイスの開発に活用できます。
半導体基板の製造プロセスを最適化し、製品の品質を一貫して保つことが可能です。これにより、製品の信頼性を向上させ、顧客満足度を高めることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-108822 |
| 発明の名称 | 半導体基板及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | 特開2020-200222 |
| 登録番号 | 特許第0007396614号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です