国立大学法人 筑波大学
革新的な半導体装置・製造方法の提案
国立大学法人 筑波大学
革新的な半導体装置・製造方法の提案
本発明は、半導体装置とその製造方法に関するものです。特に、絶縁体上に薄膜を合成する際の熱処理温度を管理することで、さまざまな電子デバイスの性能向上と製造コストの削減を可能にします。具体的には、Si、Geなどの半導体材料の固相成長法を用いて、絶縁体上に半導体膜を形成し、その後、熱処理を行うことで半導体膜の結晶化を促進します。この熱処理は、製造過程の第一工程では350℃以下、第二工程では150℃以下の温度で行うことが特徴となっています。これにより、半導体膜の品質を確保しつつ、製造プロセスの効率化とコスト削減が可能になります。
つまりは、低温熱処理での半導体装置製造技法を特許化
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子デバイス製造業半導体業界研究開発
- 高性能電子デバイスの製造
- コスト削減による製品価格の縮小
- 研究開発の効率化
この特許技術を活用して、高性能な電子デバイスを製造することが可能です。低温熱処理を利用することで、高品質な半導体膜を生成し、それを用いた電子デバイスは高い性能を発揮します。
本特許技術は、効率的な製造プロセスにより製造コストを削減し、商品価格の低減を可能にします。これにより、消費者に対してより手頃な価格で高性能な電子デバイスを提供することが可能となります。
本特許技術は、半導体の結晶化プロセスを効率化し、研究開発のスピードを向上させることができます。これにより、新しい半導体材料や電子デバイスの開発時間を短縮し、より迅速にイノベーションを推進することが可能になります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2021-007370 |
| 発明の名称 | 半導体装置とその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 | 特開2021-061451 |
| 登録番号 | 特許第0007360180号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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