国立大学法人秋田大学
新世代の光電子デバイス製造へ、ナノ柱状結晶の製造方法
国立大学法人秋田大学
新世代の光電子デバイス製造へ、ナノ柱状結晶の製造方法
本発明は、窒化物半導体の結晶基板の製造方法を提供します。これは特に、非単結晶基板上に垂直に配向するナノ柱状結晶を形成するためのものです。窒化物半導体は高効率の光電子デバイスの実現が可能で、LEDやレーザーダイオードなどの光電子デバイスの開発に広く活用されています。しかし、非単結晶基板上での単結晶薄膜の成膜は難しく、ナノ結晶構造の利用がこの問題を解決する方法の一つと考えられています。本発明により、多結晶Si基板上での窒化ガリウム（GaN）ベースの半導体のナノ柱状結晶の成長が可能となり、大面積光デバイスなどのアプリケーションに適用できます。
つまりは、窒化物半導体の結晶基板の製造方法を用いて、非単結晶基板上に垂直に配向するナノ柱状結晶を形成
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業光学機器製造業
- 高効率光電子デバイスの製造
- ナノテクノロジーの研究開発
- 新素材の探索と開発
本発明の窒化物半導体の結晶基板製造方法を利用して、高効率の光電子デバイスを製造する。具体的には、非単結晶基板上にナノ柱状結晶を成長させることで、独自の光電子デバイスを開発する。
本発明の技術は、ナノ結晶構造の形成手法として活用可能であり、ナノテクノロジーの研究開発に寄与します。具体的には、窒化物半導体の結晶成長の研究や、新たなナノ構造物質の開発に役立てることができます。
窒化物半導体の結晶基板製造方法を活用し、新たな素材の探索と開発を行う。具体的には、窒化物半導体の特性を活かした新たな素材の開発や、既存の素材に対する新たな応用方法の探索に利用できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-210212 |
| 発明の名称 | 窒化物半導体の結晶基板の製造方法及び窒化物半導体の結晶基板 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人秋田大学 |
| 公開番号 | 特開2021-080137 |
| 登録番号 | 特許第0007406790号 |
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