国立大学法人 熊本大学
カチオンドープ酸化グラフェン混合導電性膜の製造方法、重水素選択透過膜の製造方法、重水素選択透過膜及び重水素ガスの製造方法
国立大学法人 熊本大学
カチオンドープ酸化グラフェン混合導電性膜の製造方法、重水素選択透過膜の製造方法、重水素選択透過膜及び重水素ガスの製造方法
カチオンをドープした酸化グラフェン膜を大気中１００℃以上１３０℃未満の範囲内の一定温度で所定時間加熱して部分還元した後、室温で放冷し、次いで、アルゴン雰囲気下、相対湿度９０％以上で加湿することを特徴とする、カチオンドープ酸化グラフェン混合導電性膜の製造方法。
つまりは、再現性がよく、実用化に適する混合導電性酸化グラフェン膜及び重水素選択透過膜の製造方法を提供する
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2023-19238 |
| 発明の名称 | カチオンドープ酸化グラフェン混合導電性膜の製造方法、重水素選択透過膜の製造方法、重水素選択透過膜及び重水素ガスの製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人 熊本大学 |
| 公開番号 | 特開2023-156 |
特許取得国： JP
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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