本特許は、金属マグネシウムを高純度で得るための不溶性電極材料に関するものです。従来、マグネシウム電解精製では電極の溶出や反応によって不純物が混入し、製品純度や電極寿命が課題でした。本発明では、MoSi₂（モリブデンシリサイド）を主成分とする電極を採用し、その表面に酸素およびケイ素を含む酸化膜を形成することで、優れた耐食性・耐酸化性を実現します。この酸化膜は、電解時に安定して不溶性を維持しつつ、電子伝導性を保つ構造を有しており、長期間にわたり一定の電解性能を発揮します。結果として、電極劣化を抑制し、生成されるマグネシウムの純度を高めることができます。さらに、MoSi₂は高融点で熱安定性に優れるため、高温環境下での使用にも適しており、電解精製プロセス全体の効率向上とコスト低減に寄与します。この技術は、軽量金属精製・リサイクル分野において重要な環境対応型プロセスを実現する基盤技術といえます。

つまりは、MoSi₂（モリブデンシリサイド）を主成分とする不溶性電極を採用。高温・腐食環境下でも安定し、マグネシウムの電解精製における耐久性と純度を両立する革新技術です。