本特許は、HVPE（ハイドライド気相成長法）を用いて高品質なGaN基板を製造する新しい方法に関するものです。従来、非半導体基板上にGaNを成長させる際、界面の結晶性が低いため、欠陥密度が高く性能に影響を与えるという課題がありました。本発明では、まずベース基板の非半導体表面を1000℃を超える高温下で窒化処理します。この際、N₂ガスおよびNH₃ガスを用いることで、基板表面に窒化層を形成。その後、N₂をキャリアガスとするHVPE法により、基板上にGaNを結晶成長させます。この工程により、非半導体基板から直接、結晶品質の高いGaNを成長させることが可能となり、従来よりも欠陥密度を低減した高性能基板が得られます。本技術は、パワーエレクトロニクスや高効率LED、レーザーダイオードなどのデバイス開発において重要な基盤技術であり、低コスト化と高信頼性の両立を実現するものです。

つまりは、ベース基板を高温窒化処理し、HVPE法で高結晶品質のGaNを成長。次世代パワーデバイスや光デバイスの性能向上に貢献します。